UV-B單通道紫外輻照計采用SMT貼片技術(shù)，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計，探測器經(jīng)過嚴格的光譜及角度特性校正，性能穩(wěn)定，適用性強。適用于光化學、高分子材料老化、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作。

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更新時間：2025-03-14

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環(huán)境職業(yè)衛(wèi)生檢測儀

場強儀粉塵采樣器輻照計降水降塵采樣器噪聲計

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產(chǎn)品介紹

UV-B單通道紫外輻照計

產(chǎn)品介紹

UV-B單通道紫外輻照計采用SMT貼片技術(shù)，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計，探測器經(jīng)過嚴格的光譜及角度特性校正，性能穩(wěn)定，適用性強。適用于光化學、高分子材料老化、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作。

性能特點

1、光譜及角度特性經(jīng)嚴格校正

2、數(shù)字液晶顯示，帶背光

3、手動/自動量程切換

4、數(shù)字輸出接口（USB,冗余供電）

5、低電量提醒

6、自動延時關(guān)機

7、有數(shù)字保持

8、輕觸按鍵操作，蜂鳴提示

技術(shù)參數(shù)

項目	參數(shù)
波長范圍λ1，峰值波長λp	（230～275）nm，λP＝254nm
波長范圍λ2，峰值波長λp	（275～330）nm，λP＝297nm
輻照度測量范圍	(0.1～199.9×10³) μW/cm²
紫外帶外區(qū)雜光	UV254<0.1%，UV297<0.05%
相對示值誤差	±8％（相對于NIM標準）
角度響應特性	±5% （α≤10°）
線性誤差	±1%
換檔誤差	±1%
短期不穩(wěn)定性	±1%（開機30min后）
疲勞特性	衰減量<2%
零值誤差	滿量程的±1%
響應時間	<1秒
使用環(huán)境	溫度(0~40)℃；濕度＜85％RH
尺寸和重量	160mm×78mm×43mm；0.2kg
電源	6F22型9V積層電池（非充電電池）
整機功耗	＜0.1VA
配置	主機、254或297探頭選一、探頭蓋、數(shù)據(jù)線、說明書、合格證、9V電池等